Что мы предлагаем
Академические программы Школа инженерии и цифровых наук НУ
Узнать больше
Узнать больше
Узнать больше
Узнать больше
Последние новости
    Предстоящие мероприятия
      Each type of visual aid has pros and cons that must be evaluated to ensure it will be beneficial to the overall presentation. Before incorporating visual aids into speeches, the speaker should understand that if used incorrectly, the visual will not be an aid, but a distraction.
      News_RU

      NU SEDS совместно с IEEE Kazakhstan организовал научно-исследовательский семинар по полупроводниковым технологиям

      21 мая 2024 года Школой инженерии и цифровых наук (NU SEDS) в сотрудничестве с Офисом Провоста Назарбаев Университета и Казахстанское отделение IEEE провел серию научных семинаров по полупроводниковым технологиям. В мероприятии приняли участие два выдающихся докладчика из Международного колледжа полупроводниковых технологий (ICST) при Национальном университете Янг-Минг-Чяо-Тунг (NYCU), Хсинчу, Тайвань.

      Мероприятие началось со вступительного слова доцента Мухаммада Ахтара с кафедры Электротехники и компьютерной инженерии, который также является заместителем председателя Казахстанской секции IEEE и советником студенческого отделения NU-IEEE. После приветственного слова д-р Карло Моларди, председатель Казахстанской подсекции IEEE, представил обзор деятельности подсекции. Затем студент NU SEDS Адильхан Алпысбай рассказал о деятельности и достижениях студенческого отделения NU-IEEE.

      Профессор Хироши Иваи выступил с презентацией "Прошлое, настоящее и будущее технологий интегральных схем". В своем выступлении он подробно остановился на эволюции технологий интегральных схем (ИС), подчеркнув роль достижений Нано-КМОП-схем в развитии искусственного интеллекта. Профессор Иваи также затронул проблемы тепловыделения и растущей стоимости, предложив стратегии для поддержания роста производительности в технологиях ИС.

      Профессор Эдвард И Чанг рассказал о "E-режиме GaN HEMT с ферроэлектрической ловушкой заряда в стеке затвора для приложений EV и PV". Профессор Чанг представил инновационный метод достижения нормально-выключенного режима в GaN транзисторах с высокой электронно-подвижностью (HEMT), направленный на повышение безопасности и эффективности модулей переключения питания в электромобилях. В ходе семинара были отмечены высокое положительное пороговое напряжение, низкое сопротивление включения, высокая плотность тока и высокое напряжение пробоя.

      В завершение мероприятия с заключительным словом выступил провост и исполняющий обязанности президента Назарбаев Университета Илесанми Адесида. Он выразил искреннюю благодарность участникам, отметив замечательную возможность, которую они предоставили. Подчеркнув важнейшую роль сотрудничества, он указал на его силу в культивировании инноваций и обмене знаниями в академическом сообществе. Он призвал профессоров и студентов NU к активному сотрудничеству.

      Мероприятие завершилось вручением благодарственных сертификатов и знаков признательности от университета.